Nick Wright博士

资质证书：

• 欧洲专利律师
• 萨里大学 电子工程专业工学学士（一等荣誉学位）
• 萨里大学 硅光子学专业博士
• 英国工程与自然科学研究委员会（EPSRC）博士后奖学金（由萨里大学与美国圣克拉拉英特尔光子学团队联合培养）

概覽:

Nick于 2010 年投身专利行业，入职伦敦另一家知名专利律师事务所。他迅速积累了多技术领域的执业经验，覆盖激光全息技术、电信系统与设备、显示技术及测量系统等方向。任职期间，他负责为韩国某跨国企业处理发光二极管（LED）相关专利案件。

2012 年，Nick加入一家专注于第三代合作伙伴计划（3GPP）、长期演进技术（LTE）电信系统、双向无线电系统、汽车电子及半导体技术的精品欧洲专利律师事务所。

在此期间，他在专利申请文件撰写及与发明人协作方面积累了丰富经验。

2015 年，Nick加入Maucher Jenkins律师事务所，并于 2016 年取得欧洲专利律师资质。

学术著作：

《硅基波导器件的自由载流子寿命调控》，作者：N・M・赖特、D・J・汤姆森、K・L・利特维年科、W・R・黑德利、A・J・史密斯、A・P・奈茨、J・H・B・迪恩、F・Y・加德斯、G・Z・马沙诺维奇、R・格威廉、G・T・里德，刊载于《光学快报》，2008 年第 16 卷，第 19779-19784 页。

会议报告：

《硅光子器件与偏振无关性》，作者：G・T・里德、G・Z・马沙诺维奇、B・D・季莫蒂耶维奇、F・Y・加德斯、W・R・黑德利、尼克・赖特，发表于 2006 年材料研究学会秋季会议，2006 年 11 月 27 日 —12 月 1 日，美国波士顿，报告编号：0958-L02-01（特邀报告）

《硅基波导器件的自由载流子寿命调控》，作者：N・M・赖特等，发表于第五届 IEEE / 激光与电光学会（LEOS）IV 族光子学国际会议，2008 年 9 月 17-19 日，意大利索伦托

《萨里大学的硅光子学研究》，作者：G・T・里德等（含 N・M・赖特），发表于 SPIE 欧洲分会 “新千年微技术” 会议，2009 年 5 月 4-6 日，德国德累斯顿（特邀报告）

《硅材料的自由载流子寿命调控》，作者：N・M・赖特等，发表于 2009 年西部光子学会议，2009 年 1 月，美国加利福尼亚州圣何塞

《英国硅光子学项目》，作者：G・T・里德等（含尼克・赖特），发表于 2010 年欧洲光子学会议 “硅光子学与光子集成电路” 分会，会议论文集 SPIE 7719，2010 年 4 月 12-16 日，比利时布鲁塞尔（特邀报告）

《离子注入硅脊形波导的退火处理对自由载流子寿命的影响》，作者：尼克・赖特等，发表于 2010 年西部光子学会议，2010 年 1 月 23-28 日，美国加利福尼亚州旧金山

工作之外的兴趣:

Nick热爱音乐，喜欢自己动手制作物件，同时乐于陪伴三个孩子共度时光。